応用物理
Online ISSN : 2188-2290
Print ISSN : 0369-8009
GaN系半導体を用いた光・電子デバイス
小林 直樹熊倉 一英西田 敏夫前田 就彦牧本 俊樹嘉数 誠
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2001 年 70 巻 5 号 p. 513-522

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抄録

窒化物半導体は,発光ダイオードが市販され,室温で連続発振する青紫色レーザーが開発されるなど,短期間のうちに発光デバイス用材料として確固たる地位を築き上げた.この材料は,短波長可視発光デバイス以外に,多種多様な光・電子デバイス応用への高いポテンシャルをもっている.ここでは,より材料サイドに立脚し,具体的なデバイス特性の比較や紹介というよりも,窒化物半導体という材料のもつ物性が,どのようにデバイスに反映され,適用されるかを,紫外光源,ヘテロ構造FET, ヘテロ接合パイポーラトランジスタおよび冷陰極電子放出を例1にとって述べる.

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© 社団法人 応用物理学会
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