触媒化学気相成長 (Cat-OVD) 法の大面積液晶ディスプレイ用薄膜トランジスタ (TFT) 製造技術としての特長を示す. Gat-CVD法で作製した水素化アモルファスシリコン (a-Si: H) 膜を用いた-TFTはストレス印加に対する安定性に優れる.また, Cat-CVD法で低温直接たい積した多結晶シリコン膜を用いたTFTにおいても数十cm²/Vsの移動度か確認されている,さらに, Cat-CVD法で作製したa-Si: H膜は,エキシマレーザーアニールによる多結晶シリコン膜形成のプリカーサとしても有望である. Cat-CVD法は原料ガスの利用効率が高く高速たい積が可能であるなど,生産性にも優れ,さらにメートルサイズの大面積均一たい積が可能なことも実証されており,実用化も目前に迫っている.