本研究ではC4AFと二水石膏をケイ石微粉末と共にセメントに置換し、オートクレーブ（AC）養生を実施した試料について二水石膏添加がトバモライト生成機構に及ぼす影響について検討し、また硫酸塩抵抗性をAC養生後の反応生成物と関連づけて考察することを目的とした。その結果、C4AFと二水石膏を同時に用いてAC養生を実施することでトバモライト生成量の増加がみられ、且つ高い硫酸塩抵抗性を示した。これは、低置換率においてはトバモライトを多量に生成したことにより、高置換率においてはトバモライトと同等の高い重合度を持つ低C/S比のC-S-Hを生成したことによるものと考察した。
